標準電壓下的耗盡型場效應管。從左到右依次依次為：結型場效應管，多晶硅金屬—氧化物—半導體場效應管，雙柵極金屬—氧化物—半導體場效應管，金屬柵極金屬—氧化物—半導體場效應管，金屬半導體場效應管。 耗盡層 , 電子 , 空穴 ,金屬,絕緣體. 上方：源極，下方：漏極，左方：柵極，右方：主體。電壓導致溝道形成的細節沒有畫出

　　摻雜FET（解釋如下）的溝道用來制造N型半導體或P型半導體。在耗盡模式的FET下，漏和源可能被摻雜成不同類型至溝道?；蛘咴谔岣吣Ｊ较碌腇ET，它們可能被摻雜成相似類型。場效應晶體管根據絕緣溝道和柵的不同方法而區分。FET的類型有：

　　DEPFET（Depleted FET）是一種在完全耗盡基底上制造，同時用為一個感應器、放大器和記憶極的FET。它可以用作圖像（光子）感應器。

　　DGMOFET（Dual-gate MOSFET）是一種有兩個柵極的MOSFET。

　　DNAFET是一種用作生物感應器的特殊FET，它通過用單鏈DNA分子制成的柵極去檢測相配的DNA鏈。

　　FREDFET（Fast Recovery Epitaxial Diode FET）是一種用于提供非常快的重啟（關閉）體二極管的特殊FET。

　　HEMT（高電子遷移率晶體管，High Electron Mobility Transistor），也被稱為HFET（異質結場效應晶體管，heterostructure FET），是運用帶隙工程在三重半導體例如AlGaAs中制造的。完全耗盡寬帶隙造成了柵極和體之間的絕緣。

　　IGBT（Insulated-Gate Bipolar Transistor）是一種用于電力控制的器件。它和類雙極主導電溝道的MOSFET的結構類似。它們一般用于漏源電壓范圍在200-3000伏的運行。功率MOSFET仍然被選擇為漏源電壓在1到200伏時的器件.

　　ISFET是離子敏感的場效應晶體管（Ion-Sensitive Field Effect Transistor）,它用來測量溶液中的離子濃度。當離子濃度（例如pH值）改變，通過晶體管的電流將相應的改變。

　　JFET用相反偏置的p-n結去分開柵極和體。

　　MESFET（Metal-Semiconductor FET）用一個肖特基勢壘替代了JFET的PN結；它用于GaAs和其它的三五族半導體材料。

　　MODFET（Modulation-Doped FET）用了一個由篩選過的活躍區摻雜組成的量子阱結構。

　　MOSFET用一個絕緣體（通常是二氧化硅）于柵和體之間。

　　NOMFET是納米粒子有機記憶場效應晶體管（Nanoparticle Organic Memory FET）。

　　OFET是有機場效應晶體管（Organic FET），它在它的溝道中用有機半導體。