帶邊發射 半導體

本專題涉及帶邊發射 半導體的標準有61條。

國際標準分類中，帶邊發射 半導體涉及到半導體分立器件、光電子學、激光設備、無線通信、電子元器件綜合、術語學(原則和協調配合)、分析化學、核能工程、軟件開發和系統文件、金屬材料試驗、有色金屬產品。

在中國標準分類中，帶邊發射 半導體涉及到半導體發光器件、無線電通信設備、電子技術專用材料、半導體二極管、、電化學、熱化學、光學式分析儀器、光學測試儀器、物質成份分析儀器與環境監測儀器綜合、通信網性能指標及測試、核儀器與核探測器綜合、光電子器件綜合、廣播、電視發送與接收設備、金屬物理性能試驗方法、紅外器件、貴金屬及其合金、微波、毫米波二、三極管。

GOST，關于帶邊發射 半導體的標準

• GOST R 71069-2023 半導體發射器 參數系統
• GOST R 70968-2023 半導體噪聲發生器 參數系統

RU-GOST R，關于帶邊發射 半導體的標準

• GOST R 50471-1993 半導體光電發射體.半值角的測量方法
• GOST 24352-1980 半導體輻射器.基本參數

行業標準-電子，關于帶邊發射 半導體的標準

• SJ/T 2658.12-2015 半導體紅外發射二極管測量方法 第12部分:峰值發射波長和光譜輻射帶寬
• SJ/T 2658.10-2015 半導體紅外發射二極管測量方法 第10部分:調制帶寬
• SJ/T 10197-1991 10kW短波單邊帶發射機
• SJ/Z 3206.13-1989 半導體材料發射光譜分析方法通則
• SJ 50033/41-1994 GR9414型半導體紅外發射二極管詳細規范
• SJ 2323-1983 短波單邊帶發射機外部接口
• SJ/T 11818.2-2022 半導體紫外發射二極管 第2部分：芯片規范
• SJ/T 11818.1-2022 半導體紫外發射二極管 第1部分：測試方法
• SJ/T 11818.3-2022 半導體紫外發射二極管 第3部分：器件規范
• SJ/T 2658.6-2015 半導體紅外發射二極管測量方法 第6部分:輻射功率
• SJ/T 2658.7-2015 半導體紅外發射二極管測量方法 第7部分:輻射通量
• SJ/T 2658.8-2015 半導體紅外發射二極管測量方法 第8部分:輻射強度
• SJ/T 2658.1-2015 半導體紅外發射二極管測量方法 第1部分:總則
• SJ/T 2658.9-2015 半導體紅外發射二極管測量方法 第9部分:輻射強度空間分布和半強度角
• SJ 2658.12-1986 半導體紅外發光二極管測試方法.峰值發射波長和光譜半寬度的測試方法
• SJ 53930/1-2002 半導體光電子器件.GR8813型紅外發射二極管詳細規范
• SJ 20557-1995 固定式短波單邊帶發射機通用規范
• SJ/T 2658.4-2015 半導體紅外發射二極管測量方法 第4部分:總電容
• SJ 2558-1984 SM1～18型半導體發光數碼管
• SJ 50033/110-1996 半導體光電子器件GR9413型紅外發射二極管詳細規范
• SJ/T 2658.11-2015 半導體紅外發射二極管測量方法 第11部分:響應時間
• SJ/T 11397-2009 半導體發光二極管用熒光粉
• SJ/T 2658.13-2015 半導體紅外發射二極管測量方法 第13部分:輻射功率溫度系數
• SJ/T 2658.2-2015 半導體紅外發射二極管測量方法 第2部分:正向電壓
• SJ/T 2658.5-2015 半導體紅外發射二極管測量方法 第5部分:串聯電阻
• SJ/T 11394-2009 半導體發光二極管測試方法
• SJ 2355.1-1983 半導體發光器件測試方法.總則

國家軍用標準-總裝備部，關于帶邊發射 半導體的標準

• GJB 33/15-2011 半導體光電子器件 BT401型半導體紅外發射二極管詳細規范

中國團體標準，關于帶邊發射 半導體的標準

• T/CASAS 002-2021 寬禁帶半導體術語
• T/SHDSGY 113-2022 射頻前端半導體測試軟件

CZ-CSN，關于帶邊發射 半導體的標準

• CSN 36 7122-1985 單邊帶短波發射機．測量方法
• CSN 35 6577-1982 帶有半導體電離輻射探測器的監測器．規范

國際標準化組織，關于帶邊發射 半導體的標準

• ISO 15632:2021 微光束分析.帶半導體探測器能量發散X射線分光儀的儀器規范
• ISO 15632:2012 微光束分析.帶半導體探測器能量發散X射線分光儀的儀器規范
• ISO 15632:2002 微光束分析.帶半導體探測器的能量發散X射線分光儀的儀器規范

未注明發布機構，關于帶邊發射 半導體的標準

• DIN ISO 15632 E:2015-05 微光束分析 帶半導體探測器能量發散X射線分光儀的儀器規范
• DIN ISO 15632 E:2022-03 微光束分析 帶半導體探測器能量發散X射線分光儀的儀器規范

法國標準化協會，關于帶邊發射 半導體的標準

• NF X21-008:2012 微光束分析.帶半導體探測器能量發散X射線分光儀的儀器規格

國際電信聯盟，關于帶邊發射 半導體的標準

• ITU-R SM.1792-2007 監測目的的T-DAB和DVB-T發射機的測量邊帶發射
• ITU-R M.488-1 FRENCH-1990 海上移動業務中雙邊帶和單邊帶無線電電話發射的等效功率

國家質檢總局，關于帶邊發射 半導體的標準

• GB/T 11685-2003 半導體X射線探測器系統和半導體X射線能譜儀的測量方法
• GB/T 6933-1995 短波單邊帶發射機電性能測量方法
• GB/T 42676-2023 半導體單晶晶體質量的測試 X射線衍射法
• GB/T 18904.1-2002 半導體器件 第12-1部分;光電子器件 纖維光學系統或子系統用帶/不帶尾纖的光發射或紅外發射二極管空白詳細規范
• GB/T 8750-2022 半導體封裝用金基鍵合絲、帶

韓國科技標準局，關于帶邊發射 半導體的標準

• KS D ISO 15632:2012 微光束分析.帶半導體探測器的能量發散X射線分光儀的儀器規范

工業和信息化部，關于帶邊發射 半導體的標準

• SJ/T 2658.15-2016 半導體紅外發射二極管測量方法 第15部分：熱阻
• SJ/T 2658.14-2016 半導體紅外發射二極管測量方法 第14部分：結溫

福建省地方標準，關于帶邊發射 半導體的標準

• DB35/T 1193-2011 半導體發光二極管芯片

德國標準化學會，關于帶邊發射 半導體的標準

• DIN ISO 15632:2015 微光束分析.帶半導體探測器能量發散X射線分光儀的儀器規范(ISO 15632-2012)

ITU-R - International Telecommunication Union/ITU Radiocommunication Sector，關于帶邊發射 半導體的標準

• ITU-R M.488-1 SPANISH-1990 海上移動業務中雙邊帶和單邊帶無線電話發射的等效功率

SCC，關于帶邊發射 半導體的標準

• MIL MIL-S-19500/390-1968 半導體器件 晶體管 NPN 硅 雙發射極類型 3N74、TX3N74、3N75、TX3N75、3N76、TX3N76、3N127、TX3N127

英國標準學會，關于帶邊發射 半導體的標準

• BS IEC 60747-5-15:2022 半導體器件-光電器件 發光二極管 基于電反射光譜的平帶電壓測試方法
• BS IEC 60747-5-11:2019 半導體器件 光電器件 發光二極管 發光二極管輻射和非輻射電流的測試方法

美國國防后勤局，關于帶邊發射 半導體的標準

• DLA MIL-S-19500/390 VALID NOTICE 4-2011 半導體器件、晶體管、NPN、硅、雙發射極類型 3N74、TX3N74、3N75、TX3N75、3N76、TX3N76、3N127、TX3N127

RO-ASRO，關于帶邊發射 半導體的標準

• STAS 12258/6-1987 光電半導體器件．紅外發射二極管術語和基本特性

國家市場監督管理總局、中國國家標準化管理委員會，關于帶邊發射 半導體的標準

• GB/T 39771.2-2021 半導體發光二極管光輻射安全 第2部分：測試方法

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