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GSO ISO 12406:2013
表面化學分析二次離子質譜測定硅中砷深度數據的方法

Surface chemical analysis -- Secondary-ion mass spectrometry -- Method for depth profiling of arsenic in silicon

標準號: GSO ISO 12406:2013
發布: 2013年
發布單位: GSO
當前最新: GSO ISO 12406:2013

適用范圍: 本國際標準規定了使用扇形磁質譜儀或四極桿質譜儀對硅中砷進行深度分析的二次離子質譜方法，并使用觸針輪廓測量法或光學干涉測量法進行深度校準。該方法適用于砷原子濃度在 1 × 1016 原子/cm3 至 2.5 × 1021 原子/cm3 之間的單晶、多晶或非晶硅樣品，以及坑深度為 50 nm 或更深的樣品。

GSO ISO 12406:2013相似標準

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