絕大多數(shù)半導(dǎo)體器件是在單晶片或以單晶片為襯底的外延片上作出的。成批量的半導(dǎo)體單晶都是用熔體生長(zhǎng)法制成的。直拉法應(yīng)用最廣,80%的硅單晶、大部分鍺單晶和銻化銦單晶是用此法生產(chǎn)的,其中硅單晶的最大直徑已達(dá)300 毫米。在熔體中通入磁場(chǎng)的直拉法稱(chēng)為磁控拉晶法,用此法已生產(chǎn)出高均勻性硅單晶。在坩堝熔體表面加入液體覆蓋劑稱(chēng)液封直拉法,用此法拉制砷化鎵、磷化鎵、磷化銦等分解壓較大的單晶。...
絕大多數(shù)半導(dǎo)體器件是在單晶片或以單晶片為襯底的外延片上作出的。成批量的半導(dǎo)體單晶都是用熔體生長(zhǎng)法制成的。直拉法應(yīng)用最廣,80%的硅單晶、大部分鍺單晶和銻化銦單晶是用此法生產(chǎn)的,其中硅單晶的最大直徑已達(dá)300毫米。在熔體中通入磁場(chǎng)的直拉法稱(chēng)為磁控拉晶法,用此法已生產(chǎn)出高均勻性硅單晶。在坩堝熔體表面加入液體覆蓋劑稱(chēng)液封直拉法,用此法拉制砷化鎵、磷化鎵、磷化銦等分解壓較大的單晶。...
原生半絕緣 InP 是通過(guò)在單晶生長(zhǎng)過(guò)程中摻入鐵原子來(lái)制備的。為了達(dá)到半絕緣化的目的,鐵原子的摻雜濃度較高,高濃度的鐵很可能會(huì)隨著外延及器件工藝過(guò)程發(fā)生擴(kuò)散。而且由于鐵在磷化銦中的分凝系數(shù)很小,InP 單晶錠沿生長(zhǎng)軸方向表現(xiàn)出明顯的摻雜梯度,頂部和底部的鐵濃度相差一個(gè)數(shù)量級(jí)以上,由其切割成的單晶片的一致性和均勻性就很難保證。...
絕大多數(shù)半導(dǎo)體器件是在單晶片或以單晶片為襯底的外延片上作出的。成批量的半導(dǎo)體單晶都是用熔體生長(zhǎng)法制成的。直拉法應(yīng)用最廣,80%的硅單晶、大部分鍺單晶和銻化銦單晶是用此法生產(chǎn)的,其中硅單晶的最大直徑已達(dá)300毫米。在熔體中通入磁場(chǎng)的直拉法稱(chēng)為磁控拉晶法,用此法已生產(chǎn)出高均勻性硅單晶。在坩堝熔體表面加入液體覆蓋劑稱(chēng)液封直拉法,用此法拉制砷化鎵、磷化鎵、磷化銦等分解壓較大的單晶。...
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