暖暖爱视频免费,国产成人涩涩涩视频在线观看,中文在线中文资源,日本亚洲色大成网站WWW久久

正版标准0元购

GJB 2917-1997
磷化銦單晶片規(guī)范

Indium Phosphide Single Wafer Specification

2004-12

標(biāo)準(zhǔn)號
GJB 2917-1997
發(fā)布
1997年
發(fā)布單位
國家軍用標(biāo)準(zhǔn)-總裝備部
替代標(biāo)準(zhǔn)
GJB 2917A-2004
當(dāng)前最新
GJB 2917A-2018
 
 

專題


GJB 2917-1997相似標(biāo)準(zhǔn)


推薦

淺析適用于射頻微波等高頻電路的半導(dǎo)體材料及工藝 -1

磷化晶片常用于制造高頻、高速、大功率微波器件和電路以及衛(wèi)星和外層空間用的太陽能電池等。在當(dāng)前迅速發(fā)展的光纖通信領(lǐng)域,它是首選的襯底材料。另外 InP 基器件在 IC 和開關(guān)運(yùn)用方面也具有優(yōu)勢。這種新型半絕緣磷化晶片的研制成功,將在國防和高速通信領(lǐng)域發(fā)揮重要作用。...

半導(dǎo)體材料的制備方法

絕大多數(shù)半導(dǎo)體器件是在單晶片或以單晶片為襯底的外延片上作出的。成批量的半導(dǎo)體單晶都是用熔體生長法制成的。直拉法應(yīng)用最廣,80%的硅單晶、大部分鍺單晶和銻化單晶是用此法生產(chǎn)的,其中硅單晶的最大直徑已達(dá)300 毫米。在熔體中通入磁場的直拉法稱為磁控拉晶法,用此法已生產(chǎn)出高均勻性硅單晶。在坩堝熔體表面加入液體覆蓋劑稱液封直拉法,用此法拉制砷化鎵、磷化鎵、磷化等分解壓較大的單晶。...

半導(dǎo)體材料的應(yīng)用介紹

絕大多數(shù)半導(dǎo)體器件是在單晶片或以單晶片為襯底的外延片上作出的。成批量的半導(dǎo)體單晶都是用熔體生長法制成的。直拉法應(yīng)用最廣,80%的硅單晶、大部分鍺單晶和銻化單晶是用此法生產(chǎn)的,其中硅單晶的最大直徑已達(dá)300毫米。在熔體中通入磁場的直拉法稱為磁控拉晶法,用此法已生產(chǎn)出高均勻性硅單晶。在坩堝熔體表面加入液體覆蓋劑稱液封直拉法,用此法拉制砷化鎵、磷化鎵、磷化等分解壓較大的單晶。...

解析半導(dǎo)體材料的種類和應(yīng)用

絕大多數(shù)半導(dǎo)體器件是在單晶片或以單晶片為襯底的外延片上作出的。成批量的半導(dǎo)體單晶都是用熔體生長法制成的。直拉法應(yīng)用最廣,80%的硅單晶、大部分鍺單晶和銻化單晶是用此法生產(chǎn)的,其中硅單晶的最大直徑已達(dá)300毫米。在熔體中通入磁場的直拉法稱為磁控拉晶法,用此法已生產(chǎn)出高均勻性硅單晶。在坩堝熔體表面加入液體覆蓋劑稱液封直拉法,用此法拉制砷化鎵、磷化鎵、磷化等分解壓較大的單晶。...


GJB 2917-1997 中可能用到的儀器設(shè)備





分析测试百科网标准频道是为分析测试行业提供标准信息检索而建立,方便分析测试行业从业人员查找适用的标准。

本页面内容根据标准题录信息制作,有可能不准确甚至可能有错误。如需准确的标准信息,请参阅正式版完整文本。

部分标准提供预览和封面图,这些内容由系统根据一般约定生成,不意味着与正式版本一致,请以正式版本为准。

为响应国家号召,推广中国国家强制标准,部分GB(中国国家强制标准)可以在本站下载到标准文本,也可以前往中国国家标准化委员会网站下载。除此以外的所有标准,本站均没有相应标准的完整文本,无法提供下载,页面上提供的预览页是前几页,它不是完整文本。

为帮助用户买到标准,本站提供了一些可能的采购渠道, 部分采购渠道不属于本站,用户需要自行甄别真实性,本站不对非本站的采购渠道的真实性提供保证。本站提供的采购渠道中,部分标准提供在线采购,这类渠道可以在本站直接完成采购,实际销售方为“中国标准服务网”或“分析测试百科网”。

本页面提到的所有商标中,除“分析测试百科网”外,其他所有产品和品牌名称是对应的机构或者生产商的商标或注册商标。TM 和 ® 的标示有可能在本网站上被省略。

English Version

来会会

下载APP 查询更多标准

Copyright ?2007-2022 ANTPEDIA, All Rights Reserved
京ICP備07018254號 京公網(wǎng)安備1101085018 電信與信息服務(wù)業(yè)務(wù)經(jīng)營許可證:京ICP證110310號