為提高碳化硅mosfet器件柵級工作壽命，需要對碳化硅功率半導體器件進行基于柵極的測試，在將碳化硅功率半導體器件壽命較低的器件篩選出來，提高碳化硅功率半導體器件的使用壽命。SiC功率器件的電學性能測試主要包括靜態、動態、可靠性、極限能力測試等，其中：（1）靜態測試：通過測試能夠直觀反映?SiC?器件的電學基本性能，可簡單評估器件的性能優劣。...
四、功率半導體器件分類功率半導體按照不同的分類標準可以進行如下分類：1．按照控制特性分類不控型器件：即正向導通反向阻斷，如常見的功率二極管；半控型器件：除了正負極，還有控制極，一旦開通無法通過控制極（柵極）關斷，這類主要是指晶閘管（Thyristor）和它的派生器件；全控型器件：可通過柵極控制開關，常見的有雙極結型晶體管（BJT）、柵極關斷晶閘管（GTO）、金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET...
標準電壓下的耗盡型場效應管。從左到右依次依次為：結型場效應管，多晶硅金屬—氧化物—半導體場效應管，雙柵極金屬—氧化物—半導體場效應管，金屬柵極金屬—氧化物—半導體場效應管，金屬半導體場效應管。 耗盡層 , 電子 , 空穴 ,金屬,絕緣體. 上方：源極，下方：漏極，左方：柵極，右方：主體。電壓導致溝道形成的細節沒有畫出 摻雜FET（解釋如下）的溝道用來制造N型半導體或P型半導體。...
項目經過多年攻關，研制了基于自主碳化硅外延材料的4500V/100A碳化硅二極管和4500V /50A碳化硅場效應晶體管，并通過了高溫反偏、溫度循環、功率循環、溫度和濕度試驗等可靠性試驗；研制了10kV/200A碳化硅多芯片串聯功率模塊；研制了10kV/200A硅基IGBT多芯片串聯功率模塊，在逆變器樣機中進行了應用驗證；開發了碳化硅器件和硅基IGBT器件靜態和動態參數測試平臺，靜態測試能力10kV...
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