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GB/T 25897-2020
剩余電阻比測量 鈮-鈦(Nb-Ti)和鈮三錫(Nb3Sn)復合超導體剩余電阻比測量

Residual resistance ratio measurement—Residual resistance ratio of Nb-Ti and Nb3Sn composite superconductors

GBT25897-2020, GB25897-2020


標準號
GB/T 25897-2020
別名
GBT25897-2020, GB25897-2020
發布
2020年
總頁數
28頁
采用標準
IEC 61788-4:2020 IDT
發布單位
國家市場監督管理總局、中國國家標準化管理委員會
當前最新
GB/T 25897-2020
 
 
被代替標準
GB/T 25897-2010
適用范圍
本標準規定了無應變、無外加磁場條件下銅(Cu)、銅-鎳(Cu -Ni)、銅/銅-鎳(Cu/Cu -Ni)基體和鋁(Al)基體的鈮-鈦(Nb -Ti)和鈮三錫(Nb3Sn)復合超導體剩余電阻比(RRR)的測試方法。本標準適用于2
術語描述
剩余電阻比
Residual Resistivity Ratio
室溫時的電阻值與剛超過超導轉變溫度時的電阻值之比。
低溫電阻(R2)
Low-temperature Resistance (R2)
在無應變、無外加磁場條件下測量的復合超導體剛超過超導轉變溫度時的電阻值。
室溫電阻(R1)
Room-temperature Resistance (R1)
在293K(20℃)時的電阻值。

GB/T 25897-2020 中提到的儀器設備

圓柱形樣品架
用于測量線圈形Nb-Ti樣品,直徑需足夠大以確保樣品的彎曲應變不超過2%。
由銅(Cu)、鋁(Al)、銀(Ag)或其他在液氦溫度下熱導率等于或大于100W/(m·K)的材料制成。
平板狀樣品架
用于測量直線形Nb-Ti或Nb3Sn樣品,長度至少為30mm。
確保Nb3Sn樣品在無應變或僅在可允許的熱應變條件下進行測量。
低溫恒溫容器
包括樣品支撐結構和液氦容器,支持樣品的浸沒和提出。
用于測量低溫電阻(R2),確保電流通過樣品并測量電壓。

專題


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