目前常用的碳化硅功率半導體器件主要包括：碳化sbd(schottkybarrierdiode，肖特基二極管)與碳化硅mosfet(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor，金屬氧化物半導體場效應管)，其中碳化硅mosfet器件屬于單級器件，開通關斷速度較快，對柵極可靠性提出了更高的要求，而由于碳化硅材料的物理特性，導致柵級結構中的柵氧層缺陷數量較多...
四、功率半導體器件分類功率半導體按照不同的分類標準可以進行如下分類：1．按照控制特性分類不控型器件：即正向導通反向阻斷，如常見的功率二極管；半控型器件：除了正負極，還有控制極，一旦開通無法通過控制極（柵極）關斷，這類主要是指晶閘管（Thyristor）和它的派生器件；全控型器件：可通過柵極控制開關，常見的有雙極結型晶體管（BJT）、柵極關斷晶閘管（GTO）、金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET...
目前可以在太赫茲頻段容易實現的混頻管有超導體{ 絕緣體{ 超導體(SIS) 混頻管、熱電子測輻射熱計混頻管以及肖特基二極管. 前兩者對工作環境的溫度要求較高, 需要低溫環境, 而肖特基二極管卻沒有這個限制. 超導隧道結混頻器由具有近似理想開關特性的超導隧道結構成. 因此它可以提供較高的變頻效率和一定的變頻增益, 同時它僅需要較小的本振功率, 因此噪聲較低。...
4 半導體器件篩選方案設計 半導體器件可以劃分為分立器件和集成電路兩大類。分立器件包括各種二極管、三極管、場效應管、可控硅、光電器件及特種器件; 集成電路包括雙極型電路、 ? MOS電路、厚膜電路、薄膜電路等器件。各種器件的失效模式和失效機理都有差異。...
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