BS IEC 63275-1:2022
半導體器件 碳化硅分立金屬氧化物半導體場效應晶體管的可靠性測試方法 偏置溫度不穩定性測試方法
Semiconductor devices. Reliability test method for silicon carbide discrete metal-oxide semiconductor field effect transistors - Test method for bias temperature instability
- 標準號
- BS IEC 63275-1:2022
- 發布
- 2022年
- 總頁數
- 16頁
- 發布單位
- 英國標準學會
- 當前最新
- BS IEC 63275-1:2022
- 適用范圍
- 范圍 IEC 63275 的這一部分給出了一種測試方法，用于評估碳化硅 (SiC) 功率金屬氧化物半導體場效應晶體管 (MOSFET) 的柵極閾值電壓偏移，在施加連續正柵源電壓應力后，使用室溫讀數。溫度升高。所提出的方法通過允許應力和測量之間的較長延遲時間（最多 10 小時）來接受一定量的恢復。