GB/T 4326-2006
非本征半導(dǎo)體單晶霍爾遷移率和霍爾系數(shù)測量方法
Extrinsic semiconductor single crystals measurement of Hall mobility and Hall coefficient
GBT4326-2006, GB4326-2006
- 標(biāo)準(zhǔn)號
- GB/T 4326-2006
- 別名
- GBT4326-2006, GB4326-2006
- 發(fā)布
- 2006年
- 總頁數(shù)
- 16頁
- 發(fā)布單位
- 國家質(zhì)檢總局
- 當(dāng)前最新
- GB/T 4326-2006
- 被代替標(biāo)準(zhǔn)
- GB/T 4326-1984
- 適用范圍
- 本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的測量方法適用于測量非本征半導(dǎo)體單晶材料的霍爾系數(shù)、載流子霍爾遷移率、電阻率和載流子濃度。 本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的測量方法僅在有限的范圍內(nèi)對鍺、硅、砷化鎵和磷化鎵單晶材料進(jìn)行了實(shí)驗(yàn)室測量，但該方法也可適用于其他半導(dǎo)體單晶材料，一般情況下，適用于室溫電阻率高達(dá)104Ω?cm半導(dǎo)體單晶材料的測試。