暖暖爱视频免费,国产成人涩涩涩视频在线观看,中文在线中文资源,日本亚洲色大成网站WWW久久

GB/T 4326-2006
非本征半導(dǎo)體單晶霍爾遷移率和霍爾系數(shù)測量方法

Extrinsic semiconductor single crystals measurement of Hall mobility and Hall coefficient

GBT4326-2006, GB4326-2006


標(biāo)準(zhǔn)號
GB/T 4326-2006
別名
GBT4326-2006, GB4326-2006
發(fā)布
2006年
總頁數(shù)
16頁
發(fā)布單位
國家質(zhì)檢總局
當(dāng)前最新
GB/T 4326-2006
 
 
被代替標(biāo)準(zhǔn)
GB/T 4326-1984
適用范圍
本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的測量方法適用于測量非本征半導(dǎo)體單晶材料的霍爾系數(shù)、載流子霍爾遷移率、電阻率和載流子濃度。 本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的測量方法僅在有限的范圍內(nèi)對鍺、硅、砷化鎵和磷化鎵單晶材料進(jìn)行了實(shí)驗(yàn)室測量,但該方法也可適用于其他半導(dǎo)體單晶材料,一般情況下,適用于室溫電阻率高達(dá)104Ω?cm半導(dǎo)體單晶材料的測試。

GB/T 4326-2006 中可能用到的儀器設(shè)備


專題


GB/T 4326-2006相似標(biāo)準(zhǔn)


誰引用了GB/T 4326-2006 更多引用





Copyright ?2007-2025 ANTPEDIA, All Rights Reserved
京ICP備07018254號 京公網(wǎng)安備1101085018 電信與信息服務(wù)業(yè)務(wù)經(jīng)營許可證:京ICP證110310號
頁面更新時間: 2025-03-13 06:45