GB/T 1553-2009
硅和鍺體內(nèi)少數(shù)載流子壽命測(cè)定光電導(dǎo)衰減法
Test methods for minority carrier lifetime in bulk germanium and silicon by measurement of photoconduetivity decay
GBT1553-2009, GB1553-2009
2024-03
- 標(biāo)準(zhǔn)號(hào)
- GB/T 1553-2009
- 別名
- GBT1553-2009, GB1553-2009
- 發(fā)布
- 2009年
- 總頁數(shù)
- 15頁
- 發(fā)布單位
- 國家質(zhì)檢總局
- 替代標(biāo)準(zhǔn)
- GB/T 1553-2023
- 當(dāng)前最新
- GB/T 1553-2023
- 引用標(biāo)準(zhǔn)
- GB/T 14264-2009 GB/T 1550-1997 GB/T 1551-2009
- 被代替標(biāo)準(zhǔn)
- GB/T 1553-1997
- 適用范圍
- 本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了硅和鍺單晶體內(nèi)少數(shù)載流子壽命的測(cè)定方法。本標(biāo)準(zhǔn)適用于非本征硅和鍺單晶體內(nèi)載流子復(fù)合過程中非平衡少數(shù)載流子壽命的測(cè)量。 本標(biāo)準(zhǔn)為脈沖光方法。這種方法不破壞試樣的內(nèi)在特性，試樣可以重復(fù)測(cè)試，但要求試樣具有特殊的條形尺寸和淹沒的表面，見表1。 本標(biāo)準(zhǔn)可測(cè)的最低壽命值為10μs，取決于光源的余輝。不適用于拋光片的驗(yàn)收測(cè)試。