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GB/T 11297.7-1989
銻化銦單晶電阻率及霍耳系數的測試方法

Test method for resistivity and Hall coefficient in InSb single crystals

GBT11297.7-1989, GB11297.7-1989


標準號
GB/T 11297.7-1989
別名
GBT11297.7-1989, GB11297.7-1989
發布
1989年
總頁數
23頁
發布單位
國家質檢總局
當前最新
GB/T 11297.7-1989
 
 
適用范圍
本方法適用于長方體和薄片銻化銦單晶樣品的電阻率和霍耳系數的測量。 本方法所采用的樣品是從銻化銦單晶中切割制備的,在特定位置上施加電極接觸,用直流方法測量樣品的電阻率和霍耳系數,而后計算該樣品的載流子濃度和載流子遷移率。 本方法適用于電阻率10-3~102Ω·cm的銻化銦單晶樣品。

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