GB/T 11297.7-1989
銻化銦單晶電阻率及霍耳系數的測試方法

Test method for resistivity and Hall coefficient in InSb single crystals

GBT11297.7-1989, GB11297.7-1989

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標準號

GB/T 11297.7-1989

別名

GBT11297.7-1989, GB11297.7-1989

發布

1989年

總頁數

23頁

發布單位

國家質檢總局

當前最新

GB/T 11297.7-1989

 

 

適用范圍

本方法適用于長方體和薄片銻化銦單晶樣品的電阻率和霍耳系數的測量。 本方法所采用的樣品是從銻化銦單晶中切割制備的，在特定位置上施加電極接觸，用直流方法測量樣品的電阻率和霍耳系數，而后計算該樣品的載流子濃度和載流子遷移率。 本方法適用于電阻率10^-3～10²Ω·cm的銻化銦單晶樣品。

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