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GB/T 36356-2018
功率半導體發光二極管芯片技術規范

Technical specification for power light-emitting diode chips

GBT36356-2018, GB36356-2018


標準號
GB/T 36356-2018
別名
GBT36356-2018, GB36356-2018
發布
2018年
總頁數
17頁
發布單位
國家質檢總局
當前最新
GB/T 36356-2018
 
 
引用標準
GB/T 2423.15-2008 GB/T 2423.22-2012 GB/T 2423.4-2008 GB/T 4589.1-2006 GB/T 4937.1-2006 IEC 60749 IEC 60749-19:2010 IEC 60749-22:2002 SJ/T 11394-2009 SJ/T 11399-2009
適用范圍
本標準規定了功率半導體發光二極管芯片產品(以下簡稱芯片)的技術要求、檢驗方法、檢驗規則、包裝、運輸和儲存等。 本標準適用于功率半導體發光二極管芯片。
術語描述
正向電壓
Forward voltage
施加在發光二極管上的正向偏置電壓。
反向電流
Reverse current
當反向電壓施加時流經二極管的微小電流。

GB/T 36356-2018 中提到的儀器設備

SJ/T11399—2009測試方法
符合標準要求的測試設備
用于測量光電特性等參數。
GB/T4589.1一2006
半導體器件測試設備
用于檢測芯片總規范。

專題


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