GB/T 32817-2016
半導(dǎo)體器件 微機(jī)電器件 MEMS總規(guī)范
Semiconductor devices.Micro-electromechanical devices.Generic specification for MEMS
GBT32817-2016, GB32817-2016
- 標(biāo)準(zhǔn)號(hào)
- GB/T 32817-2016
- 別名
- GBT32817-2016, GB32817-2016
- 發(fā)布
- 2016年
- 總頁數(shù)
- 20頁
- 采用標(biāo)準(zhǔn)
- IEC 62047-4:2008 MOD
- 發(fā)布單位
- 國家質(zhì)檢總局
- 當(dāng)前最新
- GB/T 32817-2016
- 引用標(biāo)準(zhǔn)
- GB 3100 GB/T 2423.1 GB/T 2423.10 GB/T 2423.101 GB/T 2423.102 GB/T 2423.11 GB/T 2423.12 GB/T 2423.13 GB/T 2423.14 GB/T 2423.15 GB/T 2423.16 GB/T 2423.17 GB/T 2423.18 GB/T 2423.19 GB/T 2423.2 GB/T 2423.20 GB/T 2423.21 GB/T 2423.22 GB/T 2423.23 GB/T 2423.24 GB/T 2423.25 GB/T 2423.26 GB/T 2423.27 GB/T 2423.28 GB/T 2423.29 GB/T 2423.3 GB/T 2423.30 GB/T 2423.31 GB/T 2423.32 GB/T 2423.33 GB/T 2423.34 GB/T 2423.35 GB/T 2423.36 GB/T 2423.37 GB/T 2423.38 GB/T 2423.39 GB/T 2423.4 GB/T 2423.40 GB/T 2423.41 GB/T 2423.42 GB/T 2423.43 GB/T 2423.44 GB/T 2423.45 GB/T 2423.46 GB/T 2423.47 GB/T 2423.48 GB/T 2423.49 GB/T 2423.5 GB/T 2423.50 GB/T 2423.50-2012/IEC 60068-2-67 GB/T 2423.51 GB/T 2423.52 GB/T 2423.53 GB/T 2423.54 GB/T 2423.55 GB/T 2423.56 GB/T 2423.57 GB/T 2423.58 GB/T 2423.59 GB/T 2423.6 GB/T 2423.60 GB/T 2423.61 GB/T 2423.62 GB/T 2423.63 GB/T 2423.7 GB/T 2423.8 GB/T 2423.9 GB/T 2424.1 GB/T 2424.10 GB/T 2424.11 GB/T 2424.12 GB/T 2424.13 GB/T 2424.14 GB/T 2424.15 GB/T 2424.17 GB/T 2424.18 GB/T 2424.19 GB/T 2424.2 GB/T 2424.20 GB/T 2424.21 GB/T 2424.22 GB/T 2424.23 GB/T 2424.24 GB/T 2424.25 GB/T 2424.26 GB/T 2424.27 GB/T 2424.5 GB/T 2424.6 GB/T 2424.7 GB/T 26111 GB/T 2828.1 GB/T 4728.1 GB/T 4728.10 GB/T 4728.11 GB/T 4728.12 GB/T 4728.13 GB/T 4728.2 GB/T 4728.3 GB/T 4728.4 GB/T 4728.5 GB/T 4728.6 GB/T 4728.7 GB/T 4728.8 GB/T 4728.9 GB/T 4937 IEC 60027 IEC 60747-1:2006 IEC 61193-2 IECQ 03-3:2013
- 適用范圍
- 本標(biāo)準(zhǔn)描述了用半導(dǎo)體制造的微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)的總規(guī)范，規(guī)定了用于IECQ-CECC體系質(zhì)量評(píng)定的一般規(guī)程，給出了電、光、機(jī)械和環(huán)境特性的描述和測(cè)試的總則。 本標(biāo)準(zhǔn)適用于各類MEMS器件[如傳感器、射頻MEMS，但不包括光MEMS、生物MEMS、微全分析系統(tǒng)(Micro-TAS)和微能源MEMS]。
| 質(zhì)量和（或）性能合格 Quality and/or Performance Conformance | 指電子元件在質(zhì)量評(píng)定體系中的合格認(rèn)定標(biāo)準(zhǔn)。 |
| 電子元件 Electronic Components | 本標(biāo)準(zhǔn)適用于各種類型的電子元件及其質(zhì)量評(píng)定。 |
| IEC質(zhì)量評(píng)定體系（IEcQ） IEC Quality Assessment System (IEcQ) | 國際電工委員會(huì)制定的質(zhì)量評(píng)定體系，用于電子元件的質(zhì)量管理。 |
其他標(biāo)準(zhǔn)
專題
GB/T 32817-2016相似標(biāo)準(zhǔn)
推薦
半導(dǎo)體所在微機(jī)電射頻諧振器件研究方面取得系列進(jìn)展
在科技部和中國科學(xué)院的大力支持下，半導(dǎo)體研究所集成技術(shù)工程研究中心相關(guān)課題組多年來致力于射頻諧振器件以及相關(guān)的測(cè)試表征系統(tǒng)的研制工作，在諧振器構(gòu)型、微納加工工藝、器件測(cè)試方法研究和測(cè)試系統(tǒng)組建等方面取得了系列科研進(jìn)展。 微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)是指利用微納加工技術(shù)制作的、同時(shí)具有機(jī)...
應(yīng)用分享丨功率半導(dǎo)體器件的物性與電性失效分析
從2018年到2050年，世界能源的消耗預(yù)計(jì)將增長近50%。隨著我們的大部分能量轉(zhuǎn)換為電力，從智能手機(jī)、電動(dòng)汽車到工業(yè)機(jī)器人等一切設(shè)備都需要更高效率、更致密的功率半導(dǎo)體器件如二極管、絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）、金氧半場(chǎng)效晶體管（MOSFET）和高電子遷移率晶體管（HEMT）等。今天的半導(dǎo)體行業(yè)...
半導(dǎo)體所MEMS器件低成本圓片級(jí)低溫鍵合方法研究獲進(jìn)展
? 基于Au-Sn二元系中富Sn區(qū)域的圓片級(jí)局域加熱鍵合及其中間層相組成 封裝是微納機(jī)電系統(tǒng)（MEMS/NEMS）產(chǎn)業(yè)化前最后的但決定器件成敗的最關(guān)鍵的一步加工技術(shù)，最近幾年已經(jīng)引起了越來越多的關(guān)注。當(dāng)前國際上MEMS/NEMS較為成熟的封裝工藝為鍵合工藝，幾個(gè)發(fā)展比較成熟的鍵...
中科院電工所制備鐵電-半導(dǎo)體耦合光伏器件
記者日前從中科院電工所獲悉，該所化合物薄膜太陽能電池研究組在普通鈉鈣玻璃上制備的鐵電-半導(dǎo)體耦合光伏器件，經(jīng)中科院太陽光伏發(fā)電系統(tǒng)和風(fēng)力發(fā)電系統(tǒng)質(zhì)量檢測(cè)中心認(rèn)證，其轉(zhuǎn)化效率達(dá)11.3%。 鐵電-半導(dǎo)體耦合光伏器件，又叫納米偶極子太陽能電池，屬第三代太陽能電池。與傳統(tǒng)PN結(jié)不同的是，該光伏器件是...